工業(yè)級寬溫2.5英寸IDE電子盤金屬封裝
APRO 2.5英寸工業(yè)IDE寬溫電子盤又稱SSD固態(tài)盤，它采用了先進的SMI閃存控制技術(shù)和NAND類型的SLC閃存技術(shù)，為了滿足正常或惡劣環(huán)境下的不同需要，寬溫電子盤工作溫度是 -40℃ ～ +85℃， 寬溫電子盤的優(yōu)點在于數(shù)據(jù)的不丟失和使用半導(dǎo)體存儲媒介，所以他們替代了傳統(tǒng)的機械硬盤。幾乎所有的計算機平臺簡單集成了閃存盤的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)ATA接口。對于現(xiàn)有嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用工業(yè)IDE寬溫電子盤是不需要做任何修改，升級計算機平臺使用簡單、性能穩(wěn)定，可把它當(dāng)作一個傳統(tǒng)的機械硬盤來使用，對于需要長時間穩(wěn)定數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵應(yīng)用，APRO 2.5英寸工業(yè)IDE寬溫電子盤是最佳選擇方案。
特點
● 工業(yè)IDE寬溫電子盤采用了先進的SMI閃存控制技術(shù)
● 標(biāo)準(zhǔn)的2.5英寸硬盤樣式
● 標(biāo)準(zhǔn)的 IDE 44- 針，2.0 毫米接口連接
● 設(shè)置主盤/從盤跳線
● 工作電壓 +5V
● 存儲容量從128MB～32GB
● 數(shù)據(jù)傳輸方式PIO-4或者UDMA-4
● 工作溫度范圍-40℃ ～ +85℃
規(guī)格說明
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●符合RoSH環(huán)保 有
●兼容性 ATAPI-6和Ture IDE
●閃存技術(shù) NAND型SLC Flash
●樣式 標(biāo)準(zhǔn)的2.5英寸IDE硬盤
◆連接 44針
●設(shè)置主盤/從盤跳線 有
●系統(tǒng)性能
◆數(shù)據(jù)傳輸方式 PIO-4或者UDMA-4
◆數(shù)據(jù)傳輸速率 66.6MB/sec 在UDMA-4方式下測試速度
◆連續(xù)讀 45.0MB/sec
◆連續(xù)寫 31.0MB/sec
◆平均訪問時間 0.2ms(估計)
●環(huán)境指標(biāo)
◆工作溫度 -40℃ ～ +85℃
◆非工作溫度 -50℃ ～ +95℃
◆濕度 5% ～95%(無凝結(jié))
◆噪聲 0db
◆抗震動 16G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F
◆抗沖擊 1.500G,符合美軍準(zhǔn)MIL-STD-810F
◆高度 70.000M
●功耗
◆電壓要求 +5.0V±10% ;
◆讀電流 111.7 mA(Max.);
◆寫電流 78.5 mA(Max.);
◆休眠模式電流 9.7 mA(Max.);
●可靠性
◆MTBF（無故障工作時間） 3.000.000 小時以上
◆糾錯碼 采用4 bits ECC Code
◆讀寫次數(shù) 2.000.000次
◆數(shù)據(jù)可靠性 每讀 1014 比特出現(xiàn)不多于1次不可恢復(fù)的錯誤
◆數(shù)據(jù)保存期 10年
●物理尺度
◆重量 (最大的) 110.0 g (3.88 oz)
◆尺寸(寬*長*高) 69.85mm*100.20mm*9.5mm
●質(zhì)保 5年 |
產(chǎn)品訂購信息（型號清單）
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工作溫度 |
-40℃ ～ +85℃ |
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封裝類型 |
采用金屬封裝 |
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傳輸方式 |
PIO-4 |
UDMA-4 |
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128M |
WR2IF128M-MAISI-P |
WR2IF128M-MAISI-U |
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256M |
WR2IF256M-MAISI-P |
WR2IF256M-MAISI-U |
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512M |
WR2IF512M-MAISI-P |
WR2IF512M-MAISI-U |
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1GB |
WR2IF001G-MAISI-P |
WR2IF001G-MAISI-U |
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2GB |
WR2IF002G-MAISI-P |
WR2IF002G-MAISI-U |
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4GB |
WR2IF004G-MAISI-P |
WR2IF004G-MAISI-U |
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8GB |
WR2IF008G-MAISI-P |
WR2IF008G-MAISI-U |
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16GB |
WR2IF016G-MAISI-P |
WR2IF016G-MAISI-U |
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32G |
WR2IF032G-MAISI-P |
WR2IF032G-MAISI-U |
